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2022

Papars, proceedings

2.    First Demonstration of Rectifying Schottky Contact on Polycrystalline P-Type Ge Using ZrN Electrode
Extended Abstracts of the 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022), pp. 305-306
K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Imajo, K. Yamamoto

1.    High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature - the importance of Coulomb scattering suppression
Applied Physics Express, Vol. 15, No. 7, 071008 (2022)
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, H. Uratani, Y. Sakaida, K. Kawamura LINK

Conference presentations

鍬釣 一、那須 新悟、王 冬、山本 圭介
メタルS/D型Ge n-MOSFETのリセスチャネル形状と性能に関する研究
2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11.26

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K.Toko, D. Wang, K.Yamamoto
N-type doping into polycrystalline Ge thin-film on glass
2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11.26

本田 彬、王 一、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬
ノンドープGeSnエピタキシャル膜のホール効果測定による電気伝導特性評価
2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11.26

王 一、本田 彬、清水 昇、山本 圭介、柴山 茂久、中塚 理、王 冬
光・電子デバイス応用に向けたノンドープ GeSnのMOS特性調査
2022年(令和4年度)応用物理学会九州支部学術講演会, 2022.11.26

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Imajo, K. Yamamoto
First Demonstration of Rectifying Schottky Contact on Polycrystalline P-Type Ge Using ZrN Electrode
2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022)
2022.9.27

高山 智成、茂藤 健太、都甲 薫、王 冬、山本 圭介
金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.9.21

茂藤 健太、都甲 薫、高山 智成、今城 利文、山本 圭介
多結晶p型Ge上におけるショットキー整流性コンタクトの形成
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.9.21

清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬
電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.9.21

那須 新悟、王 冬、山本 圭介
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II)
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022.9.20

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), 2022.9.5

T. Takayama, K. Moto, K. Yamamoto, T. Imajo,K. Toko
Fabrication and evaluation of polycrystalline Ge-based thin-film transistors on glass
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.8.3

N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto,S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, D. Wang
Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.8.3

S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang
Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250oC) for spintronics application
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.8.3

K. Yamamoto(Invited), T. Matsuo,　D. Wang, K. Moto, K. Toko, H. Nakashima
Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022), 2022.8.3

山本 圭介（招待講演）
3C-SiCへの高品質ゲートスタック形成とMOSFET応用
（公財）科学技術交流財団　第4回「厳環境下IoTワイドギャップ素子研究会」​,2022.7.21

清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、中塚 理、王 冬
電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn接合の低温形成
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022.3.24

山本 圭介、王 冬、中島 寛、菱木 繁臣、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、川村 啓介
高移動度3C-SiC n-MOSFETの作製と高温動作実証
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022.3.22