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2021

Award

2021年度 応用物理学会九州支部 発表奨励賞 髙山 智成

令和二年度 総合理工学府量子プロセス理工学専攻 専攻賞 清水 昇

Papars, proceedings

244. Sn concentration effects on polycrystalline GeSn thin film transistors
IEEE Electron Device Letters, Vol. 42, Issue 12, 1735-1738 (2021)
K. Moto, K. Yamamoto, T. Imajo, T. Suemasu, H. Nakashima, K. Toko LINK

243. Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer
Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), pp. 75-76
K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima

242. Sn Doping Effects on Polycrystalline Germanium Thin-Film Transistors on Glass
Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021), pp. 556-557
K Moto, K. Yamamoto, T. Imajo, T. Suemasu, H. Nakashima, K. Toko

241. (Invited)Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optelectronics Applications
ECS transactions, Vol. 104, No. 4, pp. 157-166(2021)
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima LINK

240. (Invited)Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer
ECS transactions, Vol. 102, No. 4, pp. 63-71(2021)
K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima LINK

Conference presentations

永松 寛大、山本 圭介、王 冬
Ge-on-Insulator基板のPL発光強度の膜厚依存性の調査
2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.4

高山 智成、茂藤 健太、山本 圭介、今城 利文、末益 崇、都甲 薫
ガラス上における多結晶 Ge 系薄膜トランジスタの作製と評価
2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.4

那須 新悟、松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬
GeスピンMOSFET実現に向けた低温(~250℃)デバイスプロセスの構築
2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, 2021.12.4

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, H. Uratani, Y. Sakaida, K. Kawamura
Achievement of High Channel Mobility of 3C-SiC n-MOSFET with the Gate Stack Formed at Low Temperature
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
2021.11.15

K. Yamamoto(invited), D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications
240th ECS meeting, 2021.10.14

松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.9.23

松尾 拓朗、山本 圭介、王 冬
GeスピンMOSFETのための低温(~250°C)デバイスプロセスの構築
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.9.10

茂藤 健太、山本 圭介、今城 利文、末益 崇、中島 寛、都甲 薫
固相成長GeSn薄膜トランジスタにおけるSn組成の影響
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.9.10

原 龍太郎、千代薗 修典、茂藤 健太、山本 圭介、佐道 泰造
a-Siキャップ付加による界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021.9.10

K. Yamamoto, K. Iseri, D. Wang, H. Nakashima
Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
2021.9.9

K. Moto, K. Yamamoto, T. Imajo, T. Suemasu, H. Nakashima, K. Toko
Sn Doping Effects on Polycrystalline Germanium Thin-Film Transistors on Glass
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)
2021.9.8

K. Yamamoto(invited), D. Wang, H. Nakashima
Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer
239th ECS meeting, 2021.5.31

清水 昇、山本 圭介、王 冬、中島 寛
エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討
2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021.3.18

中島 寛(invited)、Wei-Chen Wen、山本 圭介、王 冬
DLTS法によるGeゲートスタック中のトラップ解析
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (online), 2021.1.23