学会発表・招待講演 2024

学会発表・招待講演

*印は共同研究者による発表,アンダーラインが発表(講演)者です。最近の依頼・招待講演リスト

  • 2024年
  • 2024/11/24-27
    The 8th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE2024)
    (invited, "TBA", H. Ago
    Jeju, South Korea
  • 2024/10/24
    中山報恩会 講演交流会
    (依頼講演 , ”未定”,吾郷浩樹
    福岡
  • 2024/10/17-18
    炭素材料学会基礎講習会
    (依頼講演 , ”グラフェンの合成・物性・応用、そして2.5次元物質への広がり”,吾郷浩樹
    オンライン
  • 2024/9/26-27
    International Czech-Japanese Symposium on Advanced Multiscale Materials for Key Enabling Technologies
    (invited, "TBA", H. Ago
    Prague, Czech Republic
  • 2024/7/28-8/2
    36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2024)
    (invited, "TBA", H. Ago
    Otawa, Canada
  • 2024/6/25-28
    Graphene 2024
    (invited, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for 2.5D materials science", H. Ago
    Madrid, Spain
  • 2024/5/20-23
    2D-TMD 2024
    (invited, "TBA", H. Ago
    Hong Kong
  • 2024/3/22-25
    応用物理学会 春季学術講演会
    (招待講演 (シンポジウム Beyond Graphene)3/24, "二次元物質から「2.5次元物質」の創出へ", 吾郷浩樹
    (口頭 3/23, "機能性テープによるCVD合成したMoS2の大面積転写", 黒木麻衣, 深町悟, 中谷真季, Zongpeng Ma, 本田哲士, 保井淳, 吾郷浩樹)
    (ポスター 3/22, "数層hBNのCVD成長と磁気トンネル接合素子への応用", 江本暁, 楠瀬宏樹, 益田純奨, 深町悟, Yung-Chang Lin, 末永和知, 木村崇, 吾郷 浩樹)
    (ポスター 3/22, "CVD成長した多層hBNのラマンスペクトルのショルダーピークの解析", 小子内行羅, Pablo Solís-Fernández, 深町悟, 吾郷浩樹)
    東京
  • 2024/3/18-21
    日本化学会 第104春季年会 シンポジウム
    (招待講演 3/19, "2.5次元物質が拓く新たな学術と先端応用", 吾郷浩樹
    千葉
  • 2024/3/6-8
    第66回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    (ポスター, "Raman spectroscopy analysis of CVD-grown multilayer hBN", T. Okonai, P. Solís-Fernández, S. Fukamachi, H. Ago)
    東京
  • 2024/1/27
    第29回高専シンポジウム in Nagaoka
    (ポスター, "多層六方晶窒化ホウ素の成長における触媒基板の結晶方位の影響", 下村優依, 小子内行羅, 吾郷浩樹, 川上雄士)
    新潟
  • 2024/1/11-12
    JAIST International symposium of Nano-Materials for Novel Devices
    (invited 1/11, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for 2.5D materials science", H. Ago
    (poster 1/11, "Application of large-area CVD-grown few-layer hexagonal boron nitride to magnetic tunnel junction devices", S. Emoto, H. Kusunose, S. Masuda, S. Fukamachi, T. Kimura, H. Ago)
    (poster 1/11, "Transferable high-k/boron nitride gate dielectric for 2D field-effect transistors", E. Y. Jung, P. Solís-Fernández, K. Yamamoto, H. Ago)
    Ishikawa

過去の学会参加記録

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