修了生
令和5年度 | |
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鍬釣 一 (王・山本研修士) 高性能Ge MOSデバイス構造と低温プロセス技術に関する研究 |
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本田 彬 (王・山本研修士) 赤外受光素子搭載集積デバイスに向けたMBE-GeSn薄膜の電気特性の調査 |
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黄 林昱 (王・山本研修士) Study on the Fabrication of Thin-Film Transistor on Polycrystalline Ge at Low Temperature |
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令和4年度 | |
髙山 智成 (王・山本研修士) 電子デバイス応用に向けた金属/多結晶Ge薄膜接合の形成に関する研究 |
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那須 新悟 (王・山本研修士) ゲルマニウム電子・スピンデバイスに向けたデバイス構造とプロセス技術に関する研究 |
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王 一 (王・山本研修士) 光・電子デバイス応用に向けた GeSn 混晶薄膜の電気特性調査 |
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令和3年度 | |
永松 寛太 (王研修士) オンチップ光リンク応用に向けた Ge-on-Insulator の発光特性に関する研究 |
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松尾 拓朗 (王研修士) Ge スピン MOSFET の為のデバイス化技術に関する研究 |
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令和2年度 | |
温 偉辰 (中島・王研博士) Study on defect characterization of Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (DLTS法を用いたGeゲートスタックの欠陥評価に関する研究) |
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鹿子木 嘉城 (中島・王研修士) Study on high quality gate stack on Ge with transition metal oxide |
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清水 昇 (中島・王研修士) 高品質Ge-on-Insulator 作製と電子デバイス応用に関する研究 |
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菅田 桂輔 (中島・王研修士) Ge 光素子の発光特性調査と発光強度向上に関する研究 |
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令和元年度 | |
井芹 健人 (中島・王研修士) 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温形成に関する研究 |
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岡 龍誠 (中島・王研修士) 3C-SiC上への高品質ゲートスタック形成とデバイス化に関する研究 |
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薛 飛達 (中島・王研修士) Ge-on-Insulator基板を用いた非対称金属/Ge/金属構造光素子の作製と素子間光通信の実証 |
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平成30年度 | |
前蔵 貴行 (中島・王研博士) 研究テーマ:Fabrication and evaluation of asymmetric metal/Ge/metal diodes for intra-chip optical interconnect |
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秋山 健太郎 (中島・王研修士) 研究テーマ:イットリウム酸化物を用いたGe MOS構造の高品質化に関する研究 |
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後藤 太希 (中島・王研修士) 研究テーマ:非対称―金属/Ge/金属構造光素子の発行特性向上に関する研究 |
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仲江 航平 (中島・王研修士) 研究テーマ:スマートカット法によるGe-on-Insulator基板の作製と高品質化に関する研究 |
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