現在進行中の研究課題
科学研究費
令和6~令和8年度 基盤研究(C) 代表: 山本 圭介
課題名: 中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
令和5~令和7年度 基盤研究(C) 代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
令和6~令和10年度 基盤研究(S)
代表: 浜屋 宏平(大阪大学), 分担: 澤野 憲太郎(東京都市大学), 山本 圭介
課題名: シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓
その他
令和6-8年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 山本 圭介, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: 単結晶シリコン/多結晶ゲルマニウムスズから成るモノリシック三次元積層デバイスの実現
2020年度「NEDO先導研究プログラム/未踏チャレンジ2050」(2020年度~2025年度)
代表: 都甲 薫(筑波大学), 分担: 山本 圭介
課題名: 低消費電力フレキシブルCMOSの創製
JST-CREST 研究領域「情報担体を活用した集積デバイス・システム」
代表: 中塚 理(名古屋大学), 分担: 前田 辰郎(産総研), 王 冬, 末岡 浩治(岡山県立大学)
課題名: 狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
過去の研究課題 (課題区分をクリックすると展開します)
令和元~令和5年度 基盤研究(S)
代表: 浜屋 宏平(大阪大学), 分担: 澤野 憲太郎(東京都市大学), 山本 圭介
課題名: ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
平成31~令和2年度 若手研究 代表: 山本 圭介
課題名: Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現
平成29~31年度 基盤研究(B)代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化
平成26~28年度 基盤研究(B)代表: 王 冬
課題名:Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
平成25~26年度 研究活動スタート支援 代表: 山本 圭介
課題名:MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現
平成24年度 特別研究員奨励費 代表:中島 寛, 受入研究員:山本 圭介
課題名:高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発
平成23~24年度 若手研究(B)代表:王 冬
課題名:Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用
平成21~22年度 若手研究(B)代表:王 冬
課題名:高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価
平成18~19年度 特別研究員奨励費 代表: 中島 寛, 受入研究員:王 冬
課題名:精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成
JSPS二国間交流事業・共同研究
ベルギー(FWO)との共同研究 (2022年度~2023年度)
代表: 山本 圭介, 相手国機関: imec
課題名: 中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発
令和3-5年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 山本 圭介, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現
平成28~32年度 文部科学省 卓越研究員事業 山本 圭介
平成30~令和2年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 中島 寛, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Ge-on-Insulator基板上でのメタル・ソース/ドレイン型CMOSの実現
平成30年度 九州大学QRプログラム わかばチャレンジ 代表: 山本 圭介
課題名: 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー
平成27年度 代表: 山本 圭介
課題名:超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究
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共同研究実施企業
(株)SUMCO、(株)東芝セミコンダクター社、(株)東芝研究開発センター、(株)日立製作所、(株)福菱セミコンエンジニアリング、(株)半導体理工学研究センター、ワッカー・エヌエスシーイー(株)、アルバック(株)
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