現在進行中の研究課題
科学研究費
令和5～令和7年度 基盤研究(C) 代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
令和5～令和6年度 若手研究 代表: 茂藤 健太
課題名: 多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築
令和元～令和5年度 基盤研究(S)
代表: 浜屋 宏平(大阪大学), 分担: 澤野 憲太郎(東京都市大学), 山本 圭介
課題名: ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
その他
JSPS二国間交流事業・共同研究
ベルギー(FWO)との共同研究 (2022年度～2023年度)
代表: 山本 圭介, 相手国機関: imec
課題名: 中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発
令和3-4年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 山本 圭介, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現
2020年度「NEDO先導研究プログラム／未踏チャレンジ2050」(2020年度～2025年度)
代表: 都甲 薫(筑波大学), 分担: 山本 圭介
課題名: 低消費電力フレキシブルCMOSの創製
JST-CREST 研究領域「情報担体を活用した集積デバイス・システム」
代表: 中塚 理(名古屋大学), 分担: 前田 辰郎(産総研), 王 冬, 末岡 浩治(岡山県立大学)
課題名: 狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
過去の研究課題 (課題区分をクリックすると展開します)
令和3～令和4年度 若手研究 代表: 茂藤 健太
課題名: 多結晶Ge薄膜上における金属コンタクトの低温制御
平成31～令和2年度 若手研究 代表: 山本 圭介
課題名: Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現
平成29～31年度 基盤研究（B）代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化
平成26～28年度 基盤研究（B）代表： 王 冬
課題名：Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
平成25～27年度 基盤研究（A) 代表： 中島 寛
課題名：メタル・ソース/ドレイン型Ge-CMOS実現のための基盤技術開発
平成25～26年度 挑戦的萌芽研究 代表： 中島 寛
課題名：金属窒化膜/Ⅳ族半導体ナノ界面制御による超低電子障壁コンタクトの創製
平成25～26年度 研究活動スタート支援 代表： 山本 圭介
課題名：MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現
平成24年度 特別研究員奨励費 代表：中島 寛, 受入研究員：山本 圭介
課題名：高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発
平成23～24年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用
平成21～23年度 特別研究員奨励費 代表：中島 寛, 受入研究員：楊 海貴
課題名：局所酸化濃縮による歪みGe-On-Insulator基板の形成
平成21～23年度 基盤研究（A）代表： 中島 寛
課題名：高性能ULSIのための歪みGeチャネルの形成と物性評価
平成21～22年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価
平成19～21年度 特定領域研究公募 (ポストスケール） 代表： 中島 寛
課題名：絶縁膜上のGeチャネルに於ける結晶・界面の総合評価
平成18～19年度 特別研究員奨励費 代表： 中島 寛, 受入研究員：王 冬
課題名：精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成
平成18～19年度 基盤研究(B) 代表：中島 寛
課題名：省電力ＬＳＩ用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築
平成16～17年度 基盤研究(B) 代表：中島 寛
課題名：省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の自己整合プロセス開発
平成13～15年度 基盤研究(B) 代表： 中島 寛
課題名：次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
公益財団法人 日立金属・材料科学財団 令和2年度 第35回材料科学研究助成
代表: 茂藤 健太
課題名: フレキシブル太陽電池の実現に向けた金属/多結晶GeSn接合の低温形成技術
平成28～32年度 文部科学省 卓越研究員事業 山本 圭介
平成30～令和2年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 中島 寛, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Ge-on-Insulator基板上でのメタル・ソース／ドレイン型CMOSの実現
平成30年度 九州大学QRプログラム わかばチャレンジ 代表: 山本 圭介
課題名: 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー
平成27年度 代表： 山本 圭介
課題名：超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究
平成25年度 代表： 浜屋 宏平(九州大学大学院システム情報科学研究院)
課題名：超低消費電力デバイスを指向したスピントロニクスと半導体テクノロジーの革新的融合
研究制度名：文部科学省・知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)：福岡先端システムLSI開発拠点構想
研究課題名：カーエレクトロニクス用高機能Siデバイス創成のための基盤技術研究開発
研究リーダ：中島 寛
研究組織：(株)東芝セミコンダクター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学大学院総合理工学研究院、九州工業大学工学部
研究期間：平成19～23年度
研究制度名：STARC共同研究
研究課題名：次世代高性能多機能LSIの為のハイブリッド・マテリアル技術 －新結晶成長と高精度評価技術－
研究リーダ：宮尾 正信(システム情報科学研究院)
研究組織：半導体理工学センター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院
研究期間：平成19～21年度
研究制度名：科学技術振興機構・産学共同シーズイノベーション化事業・顕在化ステージ
研究課題名：次世代移動体通信用アナログデバイスへのひずみ印加技術の顕在化
研究リーダ：中島 寛
研究組織：(株)東芝セミコンダクター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州大学大学院システム情報科学研究院
研究期間：平成18年度
研究制度名：経済産業省・地域新生コンソーシアム研究開発事業
研究課題名：省電力LSI用高機能Siウェーハの研究開発
研究代表者：中島 寛
研究組織：(株)SUMCO、福菱セミコンエンジニアリング㈱、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州工業大学マイクロ化総合技術センター、(財)福岡県産業・科学技術振興財団
研究期間：平成16～17年度
研究制度名：文部科学省・科学技術振興調整費：産学官共同研究の効果的な推進
研究課題名：次世代LSI用高機能Siウェーハの研究開発
研究代表者：宮尾 正信(システム情報科学研究院)
研究組織：(株)SUMCO、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州工業大学マイクロ化総合技術センター
担当課題： 電気的欠陥の高感度評価とマッピング
研究期間：平成16～17年度
研究制度名：文部科学省 科学技術振興調整費：先導的研究等の推進
研究課題名：高速LSI用歪SOIウェーハの研究開発
研究代表者：中島 寛
研究組織：三菱住友シリコン(株)、福菱セミコンエンジニアリング(株)、(独)産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州工業大学、(財)福岡県産業・科学技術振興財団
研究期間：平成13～15年度
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共同研究実施企業
(株)SUMCO、(株)東芝セミコンダクター社、(株)東芝研究開発センター、(株)日立製作所、(株)福菱セミコンエンジニアリング、(株)半導体理工学研究センター、ワッカー・エヌエスシーイー(株)、アルバック(株)
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