九州大学グローバルイノベーションセンター 機能デバイス領域

研究成果

平成26(2014)年

受賞

第 6回 半導体材料・デバイスフォーラム ポスター発表奨励賞 永冨 雄太

第18回 (2014年) 応用物理学会九州支部 発表奨励賞 田中 慎太郎

論文・国際学会proceedings

198. Investigation of Al-PMA Effect on Al₂O₃/GeO_X/Ge Gate Stack
ECS Transactions, Vol. 64, No.6, pp. 261-266 (2014)
Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima LINK

197. Effect of Kr/O₂ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al₂O₃/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD
Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), pp.10-11 (2014)
Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima

196. Low-temperature fabrication of Y₂O₃/Ge gate stacks with ultrathin GeOx interlayer and low interface states density characterized by a reliable deep-level transient spectroscopy method
Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 288-291 (2014)
D. Wang, Y. Nagatomi, S. Kojima, K. Yamamoto, and H. Nakashima LINK

195. Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Femi-level pinning position toward the conduction band edge
Appl. Phys. Lett., Vol. 104, No. 13, pp. 132109-1-3 (2014)
K. Yamamoto, M. Mitsuhara, K. Hiidome, R. Noguchi, M. Nishida, D. Wang, and H. Nakashima LINK

学会発表

前蔵 貴行, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
バルクGe発光素子のデバイス構造による発光効率の変化
2014年応用物理学会九州支部学術講演会, 2014.12.7.

田中 慎太郎, 長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
原子層堆積法により形成したAl₂O₃/GeゲートスタックにおけるAl堆積後熱処理の有効性
2014年応用物理学会九州支部学術講演会, 2014.12.6.

H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang, M. Mitsuhara, R. Noguchi, K. Hiidome, and M. Nishida
Contact properties of group IV metal-nitrides(TiN, ZrN, HfN) on Ge
JSPS Core-to-Core Program,“Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration”,2014.11.13.

Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Investigation of Al-PMA Effect on Al₂O₃/GeO_X/Ge Gate Stack
226th ECS Meeting, 2014.10.7.

長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
ALDにより形成したAl₂O₃/Geゲートスタックに於けるKr/O₂ECRプラズマ酸化効果
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.9.20.

山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.9.20.

野口 竜太郎, 光原 昌寿, 山本 圭介, 西田 稔, 中島 寛, 原 徹
ZrN, Hf/Geコンタクトの電気特性と界面微細構造解析
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.9.20.

山本 裕介, 村山 亮介, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛, 菱木 繁臣, 川村 啓介
n形3C-SiCへのゲートスタックの低温形成
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014.9.17.

Y. Nagatomi, Y. Nagaoka, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Effect of Kr/O₂ECR Plasma Oxidation on Electrical Properties of Al₂O₃/Ge Gate Stacked Fabricated by ALD
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Tsukuba, 2014.9.10.

永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
Al₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックに於けるAl-PMA効果の調査
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2014.6.19.

D. Wang, S. Kamezawa, K. Yamamoto, and H. Nakashima
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure
7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014.6.3.

K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces
7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, 2014.6.3.

山本 圭介, 光原 昌寿, 吹留 佳祐, 野口 竜太郎, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛
TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明(Ⅱ)
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.3.20.

亀沢 翔, 花田 尊徳, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
非対称－金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.3.19.

永冨 雄太, 長岡 裕一, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
Al₂O₃/Ge形成後のプラズマ酸化によるゲートスタックの低温形成
2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.3.18.

K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin
7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration", 2014.1.28.

H. Nakashima(Invited), K. Yamamoto, and D. Wang
Fabrication of Ge MOS and Ge Light Emitting Devices Using Contacts with Low Electron　and Hole Barrier Heights
7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processsing for Ultralarge Scale Integration", 2014.1.27.

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平成25(2013)年

受賞

第5回 半導体材料・デバイスフォーラム ポスター発表奨励賞 長岡 裕一 PHOTO

平成24年度 量子プロセス理工学専攻 専攻賞 小島 秀太

論文・国際学会proceedings

194. Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts
ECS Transactions, Vol. 58, No. 9, pp. 167-178 (2013)
H. Nakashima, K. Yamamoto, D. Wang LINK

193. Fabrication of Metal-Nitride/Si Contacts with Low Electron Barrier Height
ECS Transactions, Vol. 58, No. 9, pp. 53-59 (2013)
K. Yamamoto, K. Asakawa, D. Wang, H. Nakashima LINK

192. Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO₂/GeO₂ gate stack
Appl. Phys. Lett., Vol. 103, No. 12, pp. 122106-1-4 (2013)
K. Yamamoto, T. Sada, D. Wang, H. Nakashima LINK

学会発表

長岡 裕一, 永冨 雄太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
Al₂O₃/Ge 構造形成後のECR プラズマ酸化による固定電荷密度の制御
第5回 半導体材料・デバイスフォーラム (主催: 熊本高専), 2013.11.16.

山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
次世代CMOS実現に向けた金属/半導体コンタクトの障壁制御
第5回 半導体材料・デバイスフォーラム (主催: 熊本高専), 2013.11.16.

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of Metal-Nitride/Si Contactswith Low Electron Barrier Height
224th ECS Meeting, 2013.10.30.

H. Nakashima(Invited), K. Yamamoto, D. Wang
Development of Metal Source/Drain Ge-CMOS Using TiN/Ge and HfGe/Ge contacts
224th ECS Meeting, 2013.10.29.

山本 圭介, 佐田 隆宏, 王 冬, 中島 寛
ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2013.06.18.

K. Yamamoto, T. Sada, D. Wang, H. Nakashima
Metal Source/Drain Ge p-MOSFET with HfGe/Ge Contact
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) 2013, 2013.06.05.

K. Hatayama, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
Low temperature fabrication of Ohmic contact for p-type 4H-SiC using Al/Ti/Sn
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) 2013, 2013.06.04.

K. Yamamoto, K. Asakawa, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Its Application to Back-Gate MOSFET
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) 2013, 2013.06.04.

D. Wang, Y. Nagatomi, S. Kojima, S. Kamezawa, K. Yamamoto, H. Nakashima
An accurate characterization of metal-insulator-semiconductor interface-state by deep-level transient spectroscopy and its application on Y₂O₃/Ge gate stacks with ultrathin GeO_x interlayer
8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-8) 2013, 2013.06.04.

永冨 雄太, 小島 秀太, 亀沢 翔, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
極薄GeO_x界面層を有するY₂O₃/Ge ゲートスタックの低温形成
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.28.

佐田 隆宏, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.28.

山本 圭介, 光原 昌寿, 西田 稔, 王 冬, 中島 寛
TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.28.

中島 寛, 王 冬, 山本 圭介
Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.28.

畑山 紘太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成
第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013.03.28.

H. Nakashima(Invited), K. Yamamoto, D. Wang
Contact Formations for Schottky Source/Drain Ge-CMOS
6th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", 2013.02.23.

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平成24(2012)年

受賞

平成23年度 総合理工学府 学府賞 坂本 敬太

平成23年度 量子プロセス理工学専攻 専攻賞 山中 武

論文・国際学会proceedings

191. An accurate characterization of interface-state by deep-level transient spectroscopy for Ge metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO₂/GeO₂ bilayer passivation
J. Appl. Phys., Vol. 112, No. 8, pp. 083707-1-5 (2012)
D. Wang, S. Kojima, K. Sakamoto, K. Yamamoto, H. Nakashima

190. Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs
The Electrochemical Society Transactions Vol. 50, No.9, pp.205-216 (2012)
H. Nakashima, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang

189. High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), pp. 737-738 (2012)
T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

188. Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), pp. 64-65 (2012)
K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

187. Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO₂ and ZrGeO Interlayers
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), pp. 12-13 (2012)
S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

186. Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 7, pp. 070208-1-3 (2012)
K. Yamamoto, K. Harada, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

185. Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures
Appl. Phys. Express, Vol. 5, No. 5, pp. 051301-1-3 (2012)
K. Yamamoto, T. Yamanaka, K. Harada, T. Sada, K. Sakamoto, S. Kojima, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

184. Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Thin Solid Films, Vol. 520, No. 8, pp. 3382-3386 (2012)
K. Yamamoto, T. Yamanaka, R. Ueno, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

183. Influence of SiGe layer thickness and Ge fraction on compressive strain and hole mobility in a SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique
Thin Solid Films, Vol. 520, No. 8, pp. 3283-3287 (2012)
H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

182. Significant Improvement of SiO₂/4H-SiC Interface Properties Using Electron Cyclotron Resonance Nitrogen Plasma Irradiation
J. Electrochem. Soc., Vol. 159, No. 1, pp. H1-H4 (2012)
H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

学会発表

H. Nakashima(Invited), K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
Gate Stack and Source/Drain Junction Formations for High-Mobility Ge MOSFETs
PRiME 2012 Joint international meeting: 222nd Meeting of ECS - The Electrochemical Society & 2012 Fall Meeting of The Electrochemical Society of Japan, 2012.10.09.

T. Sada, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
High Hole-Mobility Ge p-MOSFET with HfGe Schottky Source/Drain
2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012), 2012.09.26.

S. Kojima, K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Hirayama, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of ZrSiO/Ge Gate Stacks with GeO₂ and ZrGeO Interlayers
2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012), 2012.09.26.

K. Asakawa, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back-Gate MOSFET
2012 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2012), 2012.09.26.

朝川 幸二朗, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用
第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09.13.

光原 昌寿, 吹留 佳祐, 西田 稔, 山本 圭介, 中島 寛
STEMを利用したTiN/Geコンタクト界面の微細構造解析
第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09.11.

山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性
第73回応用物理学会学術講演会, 2012.09.11.

山本 圭介, 井餘田 昌俊, 王 冬, 中島 寛
TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会との合同開催), 2012.06.21.

山本 圭介, 原田 健司, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
低障壁TiN/n-Ge コンタクトの形成とコンタクト抵抗評価
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.18.

山本 圭介, 山中 武, 原田 健司, 佐田 隆宏, 坂本 敬太, 小島 秀太, 王 冬, 中島 寛
TiN ショットキー・ソース/ドレインGe n-MOSFET の作製
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.16.

山本 圭介, 佐田 隆宏, 山中 武, 坂本 敬太, 小島 秀太, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
HfGe_x ショットキー・ソース/ドレインGe p-MOSFET の作製
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.16.

小島 秀太, 坂本 敬太, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
1.0 nm EOTを有するhigh-k/Ge ゲートスタックの形成
第59回応用物理学関係連合講演会, 2012.03.16.

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平成23(2011)年

論文・国際学会proceedings

181. Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator
J. Electrochem. Soc., Vol. 158, No. 12, pp. H1221-H1224 (2011)
D. Wang, K. Yamamoto, Hongye, H. Yang, H. Nakashima

180. High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate
Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), pp. 889-890 (2011)
T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

179. Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer by Nitrogen Incorporation
Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), pp. 885-886 (2011)
K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

178. Postmetallization annealing effect of TiN-gate Ge metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin SiO₂/GeO₂ bilayer passivation
Appl. Phys. Lett., Vol. 98, No. 25, pp.252102-1-3 (2011)
H. Nakashima, Y. Iwamura, K. Sakamoto, D. Wang, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang

177. Ohmic contact formation on n-type Ge by direct deposition of TiN
Appl. Phys. Lett., Vol. 98, No. 19, pp. 192108-1-3(2011)
M. Iyota, K. Yamamoto, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

176. High‐Performance Ge Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors　with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer Passivation
Applied Physics Express, Vol. 4, No. 5, pp. 051301-1-3 (2011)
K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

175. Fabrication of Ge Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with High-Quality Interface by Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer Passivation and Postmetallization Annealing Effect of Al
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, pp. 04DA10-1-5 (2011)
K. Hirayama, R. Ueno, Y. Iwamura, K. Yoshino, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

174. Defect Evaluation by photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator
The Electrochemical Society Transactions, Vol. 34, No.1 pp. 1117-1122 (2011)
D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima

173. Effect of Al₂O₃ Deposition and Subsequent Annealing on Passivation of Defects in Ge-rich SiGe-on-Insulator
Key Engineering Materials, Vol. 470, pp. 79-84 (2011)
H. Yang, M. Iyota, S. Ikeura, D. Wang, H. Nakashima

172. Measurement of strain and strain relaxation in free-standing Si membranes by convergent beam electron diffraction and finite element method
Acta Materialia, Vol. 59, pp. 2882-2890 (2011)
H. Gao, K. Ikeda, S. Hata, H. Nakashima, D. Wang, H. Nakashima

171. Effective passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al₂O₃ deposition and subsequent post-annealing
Solid State Electronics, Vol. 60, No. 1, pp. 128-133 (2011)
H. Yang, M. Iyota, S. Ikeura, D. Wang, H. Nakashima

170. Fabrication of Ge-MOS capacitors with high-quality Interface by ultra-thin SiO₂/GeO₂ bi-layer passivation combined with the subsequent SiO₂ depositions using magnetron sputtering
Solid State Electronics, Vol. 60, No. 1, pp. 122-127 (2011)
K. Hirayama, K. Yoshino, R. Ueno, Y. Iwamura, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

学会発表

K. Sakamoto, Y. Iwamura, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Effective Passivation of Interface Dipole in TiN-Gate Ge-MOS Capacitor with Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer by Nitrogen Incorporation
2011 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2011), 2011.09.28.

T. Yamanaka, K. Yamamoto, K. Sakamoto, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
High-Electron-Mobility Ge n-MOSFET with TiN Metal Gate
2011 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2011), 2011.09.28.

原田 健司, 山本 圭介, 王 冬, 中島 寛
SiN膜堆積によるSi基板への局所歪み導入
第72回応用物理学会学術講演会,2011.09.02.

坂本 敬太, 岩村 義明, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果
第72回応用物理学会学術講演会,2011.09.01.

山中 武, 山本 圭介, 上野 隆二, 坂本 敬太, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
TiN/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性
第72回応用物理学会学術講演会,2011.09.01.

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima
Photoluminescence observation of defects for uniaxially Strained Si-on-insulator
7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7), 2011.08.30.

K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
High Performance of Ge MOSFETs with Bilayer-Passivated MOS Interface
7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7),2011.08.30.

M. Iyota, K. Yamamoto, D. Wang, H. Yang, H. Nakashima
Alleviation of Fermi-level pinning at metal/Ge interface by direct deposition of TiN on Ge surface
7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI7),2011.08.30.

H. Nakashima, K. Hirayama, K. Yamamoto, H. Yang, D. Wang
High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface
E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting,2011.05.11.

岩村 義明, 坂本 敬太, 平山 佳奈, 山本 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
Ge-MOS キャパシタに於けるTiN メタルゲート形成後の熱処理効果
第58回応用物理学関係連合講演会,2011.03.27.

山本 圭介, 上野 隆二, 山中 武, 平山 佳奈, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
2層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性
第58回応用物理学関係連合講演会,2011.03.27.

D. Wang, K. Yamamoto, H. Gao, H. Yang, H. Nakashima
Defect evaluation by photoluminescence for uniaxially strained Si and strained Si-on-insulator
China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2011,2011.03.14.

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平成22(2010)年

論文・国際学会proceedings

169. 極薄GeO₂界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成
九州大学大学院総合理工学報告，第32巻，第3号，pp. 5-11 (2010)
平山 佳奈, 岩村 義明, 上野 隆二, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛

168. Defect evaluation and control of SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique
Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, pp. 438-448, Okayama (2010)
H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

167. Microphotoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition
Proceeding of The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, pp. 411-420, Okayama (2010)
D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

166. Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_0.5Ge_0.5-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique
Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010), O05_06 / pp. 1-3 (2010)
H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

165. Defect characterization and control for SiGe-on-insulator (Invited)
Proceeding of 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010), I12_08 / pp.1-4 (2010)
D. Wang, H. Yang, H. Nakashima

164. Measurement of Strain in Freestanding Si/Si_xN_y Membrane by Convergent Beam Electron Diffraction and Finite Element Method
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 49, pp. 090208-1-3 (2010)
H. Gao, K. Ikeda, S. Hata, H. Nakashima, D. Wang, H. Nakashima

163. Strain distribution in freestanding Si/Si_xN_y membranes studied by transmission electron microscopy
Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 6787-6791 (2010)
H. Gao, K. Ikeda, S. Hata, H. Nakashima, D. Wang, H. Nakashima

162. Microstructure and strain distribution in freestanding Si membrane strained by Si_xN_y deposition
Materials Science and Engineering A, Vol.527, pp. 6633-6637 (2010)
H. Gao, K. Ikeda, S. Hata, H. Nakashima, D. Wang, H. Nakashima

161. Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-Thin SiO₂/GeO₂ Bi-Layer Passivation
Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, pp. 205-206 (2010)
K. Hirayama, R. Ueno, Y. Iwamura, K. Yoshino, D. Wang, H. Yang, and H. Nakashima

160. Passivation of Electrically Active Defects in Ge-Rich SiGe-on-Insulator by Al₂O₃Deposition and Subsequent Post-Deposition Annealing
Appl. Phys. Express, Vol. 3, No. 7, pp. 071302-1-3 (2010)
H. Yang, M. Iyota, S. Ikeura, D. Wang, H. Nakashima

159. Electrical characterization of High-k Gate Dielectrics on Ge with HfGeN and GeO₂interlayers
Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2505-2508 (2010)
K. Hirayama, W. Kira, K. Yoshino, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

158. 325 nm-laser-excited micro-photoluminescence for strained Si films
Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2470-2473 (2010)
D. Wang, H. Yang, T. Kitamura, H. Nakashima

157. Defect control by Al-deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions
Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2342-2345 (2010)
H. Yang, D. Wang, H. Nakashima, K. Hirayama, S. Kojima, S. Ikeura

156. Influence of freely diffusing excitons on the photoluminescence spectrum of Si thick films with depth distribution of strain
J. Appl. Phys., Vol. 107, No. 3, pp. 033511-1-5 (2010)
D. Wang, H. Yang, T. Kitamura, H. Nakashima

学会発表

坂本 敬太, 平山 佳奈, 岩村 義明, 上野 隆二, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
Al/TiN/ZrSiO_x/GeO₂/Geゲートスタックの形成
2010年応用物理学会九州支部学術講演会, 2010. 11

山中 武, 山本圭介, 上野隆二, 平山佳奈, 岩村義明, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
2層パッシベーションで作製したMOS界面を有するGe-nMOSFETの電気的特性
2010年応用物理学会九州支部学術講演会,2010.11

原田健司, 山本圭介, 王 冬, 中島 寛
SiN膜堆積によるSi基板への局所歪み導入と移動度評価手法の構築
2010年応用物理学会九州支部学術講演会,2010.11

H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Defect evaluation and control of SiGe-on-insulator substrate fabricated by the Ge condensation technique
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, P33, Okayama,2010.11

D. Wang, H. Yang, H. Nakashima
Microphotoluminescence evaluation of local for freestanding Si membranes with SiN deposition
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, P29, Okayama,2010.11

H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Hole-Mobility Enhancement in Ultrathin Strained Si_0.5Ge_0.5-on-Insulator Fabricated by Ge Condensation Technique
The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology(ICSICT2010), O05_06, Shanghai, China,2010.11

D. Wang, H. Yang, H. Nakashima
Defect characterization and control for SiGe-on-insulator (Invited)
The 10th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2010), I12_08, Shanghai, Chinav,2010.11

中島 寛, 楊 海貴, 王 冬
酸化濃縮SiGe-On-Insulator基板の欠陥評価と制御 （招待講演)
日本学術振興会「結晶加工と評価技術第145委員会」第124回研究会, 2010.10

K. Hirayama, R. Ueno, Y. Iwamura, K. Yoshino, D. Wang, H. Yang, and H. Nakashima
Fabrication of Ge-MOS Capacitors with High-Quality Interface by Ultra-Thin SiO₂/GeO₂Bi-Layer Passivation
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, 2010.9

岩村 義明, 平山 佳奈, 上野 隆二, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
TiN/ZrSiO_x/GeO₂/Geゲートスタックの形成
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010.9

上野 隆二, 平山 佳奈, 岩村 義明, 吉野 圭介, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
Ge-MOS構造に於ける高品質界面層の形成
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010.9

H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Effect of Al₂O₃ deposition and the subsequent annealing on passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, Tokyo, 2010.6

H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Effective Passivation of defects in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates by Al₂O₃deposition and the subsequent post-annealing
5^thInternational SiGe Technology and Device Meeting, Stockholm, Sweden, 2010.5

K. Hirayama, K. Yoshino, R. Ueno, Y, Iwamura, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima
Fabrication of high quality Ge-MOS capasitor by ultra-thin SiO₂/GeO_x bi-layer passivation combined with ECR SiO₂-deposition
5^thInternational SiGe Technology and Device Meeting, Stockholm, Sweden, 2010.5

平山 佳奈, 吉野 圭介, 岩村 義明, 上野隆二, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
Ge上への極薄SiO₂/GeO₂界面層の形成
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010.3

井餘田 昌俊, 池浦 奨悟, 楊 海貴, 王 冬, 中島 寛
Al₂O₃PDAによる酸化濃縮SiGe-On-Insulator基板中の欠陥制御
2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 2010.3

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