王 冬 教授
山本 圭介 准教授
本領域では、次世代半導体産業の要求に応える基板材料、薄膜材料、新規プロセス技術、新機能デバイスに関する研究を行うと共に、高度情報社会の実現に貢献できる先端的、独創的な半導体関連研究をオープンイノベーション方式で推進する。当センターにはクリーンルームが設置されており、半導体研究を実施する環境は整っている。
当領域の研究テーマ
プロジェクト名
管理責任者
服部 励治 教授
(併任)
筑紫キャンパス
グローバルイノベーションセンター 6階
協力教員
王 冬 教授
(九州大学
総合理工学研究院)
筑紫キャンパス
総合理工学研究院 D棟 415号(4階)
協力教員
山本 圭介 准教授
(九州大学
総合理工学研究院)
筑紫キャンパス
総合理工学研究院 D棟 416号(4階)
本領域では、以下の4つの研究課題を進めている。
3C-SiC結晶は、Si基板上にエピタキシャル成長するので低コスト化・大口径化が容易であること、Si-CMOSと類似のデバイス作製ができるのでプロセスの低コスト化が図れること、等の利点があります。当該プラットフォームでは、「3C-SiC基板の高品質化とそのデバイス化技術の創製」を目指します。成功すれば、高温で動作するデバイスの創製に繫がります。
クリーンルーム全景