機能デバイス領域

王 冬 准教授

王 冬 准教授

山本 圭介 助教

山本 圭介 助教

本領域では、次世代半導体産業の要求に応える基板材料、薄膜材料、新規プロセス技術、新機能デバイスに関する研究を行うと共に、高度情報社会の実現に貢献できる先端的、独創的な半導体関連研究をオープンイノベーション方式で推進する。当センターにはクリーンルームが設置されており、半導体研究を実施する環境は整っている。

当領域の研究テーマ

当領域の研究テーマ

プロジェクト名

高度情報社会の実現に貢献する
次世代ULSI用プロセス・デバイスの研究開発

管理責任者

服部 励治 教授

(併任)

筑紫キャンパス
グローバルイノベーションセンター 6階

協力教員

王 冬 准教授

(九州大学
 総合理工学研究院)

筑紫キャンパス
総合理工学府 E棟 308号(3階)
mail

協力教員

山本 圭介 助教

(九州大学
 総合理工学研究院)

筑紫キャンパス
グローバルイノベーションセンター 3階
mail

研究領域の概要

本領域では、以下の5つの研究課題を進めている。

  1. Si/Ge CMOSプロセス・デバイス開発
  2. Ge オプトエレクトロニクス技術開発
  3. 新規Geデバイス(フレキシブル・トンネル・スピン)技術開発
  4. 高温動作用SiCデバイス開発
  5. 二次元材料の電子デバイス応用研究
    (同センター吾郷教授との共同研究)

KOINE研究プラットフォーム:機能デバイス

3C-SiC結晶は、Si基板上にエピタキシャル成長するので低コスト化・大口径化が容易であること、Si-CMOSと類似のデバイス作製ができるのでプロセスの低コスト化が図れること、等の利点があります。当該プラットフォームでは、「3C-SiC基板の高品質化とそのデバイス化技術の創製」を目指します。成功すれば、高温で動作するデバイスの創製に繫がります。

採択プロジェクト

  1. NEDO先導研究プログラム/未踏チャレンジ2050
    分担(山本)(代表:都甲 薫准教授(筑波大学))、2020∼2023年度
  2. 東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究
    分担(王、山本)(代表:中島 寛教授)、2018∼2020

採択科学研究費

  1. 若手研究、代表(山本)、2019∼2020年度
  2. 基盤研究(B)、代表(王)、2017∼2019年度
  3. 基盤研究(B)、代表(王)、2014∼2016年度
  4. 基盤研究(S)、分担(山本)(代表:浜屋 宏平教授(大阪大学))、2019∼2023年度
  5. 国際共同研究強化(B)、分担(山本)(代表:赤嶺 大志助教)、2018∼2020年度

その他採択事業等

  1. 文部科学省・卓越研究員事業(山本 圭介)、2016∼2020年度
  2. JSPS特別研究員PD(茂藤 健太)、2020∼2022年度
クリーンルーム全景

クリーンルーム全景

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