機能デバイス工学研究室について

当研究室の志望方法
当研究室を志望される学生の方へ
当研究室クリーンルーム紹介動画(Youtube, 360°), 筑紫キャンパス紹介動画(Youtube)

更新情報・お知らせ

2024/9/24
・研究成果 更新UP
・第85回応用物理学会秋季学術講演会(新潟)で下記の発表を行いました。
D1鍬釣君, M2麻生君(各1件), Ge上のゲートスタックの低温形成に関する研究。
D1黄さん, M2森本君(各1件), 多結晶Ge上のTFT高性能化とCMOS作製に関する研究。
B3野田君(高専連携生(有明高専)), ナノドープダイヤモンドライクカーボン薄膜の合成と電気特性に関する研究。
2024/9/11
・D1黄さんが、｢2024 International Conference on Solid State Device and Materials」でYoung Reseacher Awardを受賞しましたLINK1, LINK2UP
・研究成果 更新UP
・2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)(アクリエひめじ)で下記の発表を行いました。
D1鍬釣君, M2麻生君(各1件), Ge上のゲートスタックの低温形成に関する研究
D1黄さん, M2森本君(各1件), 多結晶Ge上のTFT高性能化とCMOS作製に関する研究
M2西崎さん, 3C-SiC MOSFETの高性能化に関する研究
M2馮君, Ge上の極薄絶縁膜による障壁制御に関する研究
2024/8/21
・メンバー更新
2024/8/5
・スケジュール更新
2024/7/1
・山本准教授が熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構の教授としてご栄転されました。今後は共同研究者となります。
・メンバー、スケジュール更新
2024/4/22
・研究成果 更新
・D1鍬釣君によるGe上のゲートスタックの低温形成の研究が、Materials Science in Semiconductor Processing誌に掲載されました。LINK
2024/4/11
・ 共同研究・外部獲得資金 更新
2024/4/9
・研究成果 更新
・D3清水君によるGe-on-Insulatro構造作製の研究が、ECS Journal of Solid State Science and Technology誌に掲載されました。LINK
2024/4/5
・Ge-on-Nothing構造を基にしたGOI基板作製に関する研究が、Japanese Journal of Applied Physics誌に掲載され、Spotlights 2024に選ばれました。ベルギー・imecとUmicore社との共同研究です。
2024/4/1
・メンバー、研究成果、共同研究・外部獲得資金、スケジュール 更新
・古いコンテンツを整理しました。
2024/1/8
・研究成果 更新
・M2黄さんの多結晶Ge上のnチャネルTFT作製に関する研究が、Japanese Journal of Applied Physics誌(SSDM特集号)に掲載されました。筑波大学との共同研究です。LINK
2023/12/19
・研究成果 更新
・M2鍬釣君、本田君、黄さん、山本准教授が14th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (東北大学)にて、M1麻生君、西崎さん、森本君、馮君が2023年度応用物理学会九州支部学術講演会 (九大伊都キャンパス)で発表しました。
2023/12/11
・研究成果、スケジュール 更新
・M2鍬釣君がリセスチャネルを有するGe MOSFETの寄生抵抗低減に関する研究を、第14回半導体材料・デバイスフォーラム(九州工業大学)で発表しました。
2023/10/27
・研究成果 更新
・山本准教授がGe-on-Nothing構造を基にしたGOI基板作製に関する研究を、M2鍬釣君がGe上のゲートスタックの低温形成に関する研究を、2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF 2023, 石川県金沢市)で発表しました。山本准教授の発表はベルギー・imecとUmicore社との共同研究です。
・茂藤博士と修了生高山君の多結晶Ge上のショットキー接合形成に関する研究が、IEEE Journal of the Electron Devices Society誌に掲載されました。筑波大学との共同研究です。LINK
2023/10/13
・メンバー、研究成果、スケジュール 更新
・山本准教授がGe上の熱酸化Yゲート絶縁膜とその欠陥に関する研究を、244th ECS Meeting(スウェーデン、ヨーテボリ)で招待講演として発表しました。
2023/9/26
・研究成果 更新
・M2鍬釣君がリセスチャネルを有するGe MOSFETの寄生抵抗低減に関する研究を、M2黄さんが多結晶Ge上のnチャネルTFT作製に関する研究を、第84回応用物理学会秋季学術講演会(熊本)で発表しました。黄さんの発表は筑波大学との共同研究です。他にシステム情報科学府による発表も共同研究者として発表しました。
2023/9/9
・研究成果、スケジュール 更新
・茂藤博士が多結晶Ge上のショットキー接合形成に関する研究を、M2黄さんが多結晶Ge上のnチャネルTFT作製に関する研究を、2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)(名古屋国際会議場)で発表しました。いずれも筑波大学との共同研究です。他にシステム情報科学府、ベルギーimecによる発表も共同研究者として発表しました。
2023/8/8
・研究成果、スケジュール 更新
・山本准教授と修了生松尾君のスピンMOSトランジスタに向けた強磁性体をS/DとしたGe n-MOSFETに関する研究が、Materials Science in Semiconductor Processing誌に掲載されました。大阪大学、東京都市大学との共同研究です。LINK
2023/7/30
・メンバー、研究成果 更新
2023/6/2
・メンバー、研究成果、アクセス 更新
・教員居室、学生居室が総合理工学研究院D棟に移転しました。
・山本准教授がGe-on-Nothing構造を基にしたGOI基板作製に関する研究を、茂藤博士が多結晶Ge上のショットキー接合形成に関する研究を、D3清水君がGeSnのデバイス応用に関する研究を、ISTDM-ICSI2023(イタリア・コモ)で発表しました。それぞれベルギー・imecとUmicore社、筑波大学、名古屋大学との共同研究です。
・当研究室では、高専からの3年次編入希望者(工学部融合基礎工学科・高専連携教育プログラム)向けの夏期インターンシップ生を受け付けています。実習内容等の情報はこちら。制度についてはこちら6月19日締め切りました。
2023/4/11
・メンバー、研究成果 更新
・旧スタッフ/修了生のWen博士によるGe上の熱酸化Yゲート絶縁膜とその欠陥に関する研究が、Materials Science in Semiconductor Processing誌に掲載されました。LINK
2023/4/5
・研究成果 更新
2023/4/3
・王が教授になりました
・メンバー、外部獲得資金 更新
2023/3/22
・メンバー、研究成果、スケジュール、保有設備と装置、受験案内 更新
・M2那須君が「令和4年度総合理工学府賞」を受賞しました
・3月24日に総理工セミナーにて山本准教授がグローバルイノベーションセンターのクリーンルームを紹介します。
2023/2/3
・研究成果、スケジュール 更新
・当研究室では、高専からの3年次編入希望者(工学部融合基礎工学科・高専連携教育プログラム)向けの研究室見学(後期)を受け付けています(2月24日まで)。詳細はこちら。制度についてはこちら
・山本准教授がGe-on-Nothing構造を基にしたGOI基板作製に関する研究を招待講演として、茂藤博士が多結晶Ge薄膜形成とそのデバイス応用に関する研究を、D3清水君がGeSnのデバイス応用に関する研究を、M1鍬釣君リセスチャネルを有するGe MOSFETの寄生抵抗低減に関する研究を、M1黄さんが多結晶Ge上の反転動作型n-TFTに関する研究を、13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics(東北大学)で発表しました。
・ベルギー・imecから研究者を招いて講演会を行いました。Clement Porret博士(2022年10月4日)。Roger Loo博士(2023年1月25日)
・講演会開催のお知らせ 終了しました
2022/11/28
・研究成果、スケジュール 更新
・M2王君、M1鍬釣君、本田君、黄さんが2022年度応用物理学会九州支部学術講演会(大分大学)で発表しました。
2022/10/14
・研究成果、メンバー 更新
・茂藤博士が多結晶Ge薄膜上への低電子障壁コンタクト形成に関する研究を、2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022・幕張メッセ)で発表しました。筑波大学との共同研究です。
2022/9/22
・研究成果、スケジュール 更新
・茂藤博士が多結晶Ge薄膜上への低電子障壁コンタクト形成に関する研究を、D2清水君がGeSn上の金属コンタクトに関する研究を、M2高山君が多結晶Ge薄膜上の金属コンタクトの障壁制御に関する研究を、M2那須君がリセスチャネルを有するGe MOSFETの寄生抵抗低減に関する研究を、2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会(仙台市)で発表しました。茂藤博士、高山君の発表は筑波大学との、清水君の発表は名古屋大学との共同研究です。
2022/9/16
・研究成果 更新
・山本准教授がGe上の熱酸化Yゲート絶縁膜とその欠陥に関する研究を、9th Int. Symp. on Control of Semicond. (ISCSI-IX)(名古屋大学)で発表しました(旧スタッフ/修了生 Wen博士による研究)。
・特別講演会開催のお知らせ 終了しました
2022/8/4
・研究成果 更新
・山本准教授がIV族半導体材料・デバイス技術の展開に関する招待講演を、D2清水君がGeSn上の金属コンタクトに関する研究を、M2高山君が多結晶Ge TFTと金属コンタクトに関する研究を、M2那須君がGeの低温デバイスプロセスに関する研究を、IUMRS-ICYRAM 2022(九州大学病院キャンパス)で発表しました。
・山本准教授が3C-SiC上のゲートスタックとMOSFETに関する研究を、(公財)科学技術交流財団 第4回「厳環境下IoTワイドギャップ素子研究会」で招待講演として発表しました。
2022/7/16
・スケジュール 更新
2022/7/11
・研究室名、研究概要・メッセージ、メンバー、研究成果、受験案内、スケジュール 更新
2022/6/16
・山本が准教授になりました。
・メンバー 更新
2022/6/14
・研究成果 更新
・山本助教の3C-SiC n-MOSFETに関する研究が、Applied Physics Express誌に掲載されました。エア・ウォーター社との共同研究です。LINK
2022/6/1
・当研究室では、高専からの3年次編入希望者(工学部融合基礎工学科・高専連携教育プログラム)向けの夏期インターンシップ生を受け付けています。実習内容等の情報はこちら。制度についてはこちら6月17日締め切りました。
2022/4/16
・メンバー, 外部獲得資金 更新
2022/4/1
・研究成果, スケジュール, メンバー, 外部獲得資金 更新
・山本助教が3C-SiC n-MOSFETの高移動度と高温動作に関する研究を、D1清水君がGeSnへのショットキー接合形成に関する研究を、2022年第69回応用物理学会秋季学術講演会で発表しました。3C-SiCはエア・ウォーター社との、GeSnは名古屋大学との共同研究です。
2022/1/27
・研究成果, スケジュール 更新
・M2永松君、M1髙山君、那須君が2021年度応用物理学会九州支部学術講演会(オンライン)で発表しました。
・M2永松君第12回半導体材料・デバイスフォーラム(オンライン)で発表しました。
2021/12/11
・研究成果 更新
・M1髙山君が「2021年度応用物理学会九州支部発表奨励賞」を受賞しました
2021/11/15
・研究成果 更新
・山本助教が3C-SiC n-MOSFETの高移動度と高温動作に関する研究を、2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES(オンライン)で発表しました。エア・ウォーター社との共同研究です。
2021/10/14
・研究成果 更新
・茂藤博士の多結晶Ge TFTにおけるSn添加効果の研究が、IEEE Electron Device Letter誌に掲載されました。筑波大学の都甲准教授グループとの共同研究です。LINK
・山本助教がSmart-CutTMによるGe-on-Insulator形成と電子・光デバイス応用に関する研究を、240th ECS Meeting(オンライン)で招待講演として発表しました。ECS transactions
2021/10/1
・スケジュール 更新
2021/9/22
・スケジュール, 共同研究・外部獲得資金, 研究成果 更新
・茂藤博士が多結晶Ge TFTにおけるSn添加効果の研究を、M2松尾君がGeスピンMOSFET実現に向けた低温プロセス構築 と リセスチャネル構造を有するメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上に関する研究を、2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会(オンライン)で発表しました。茂藤博士の研究は筑波大学の都甲准教授グループとの共同研究です。
・山本助教がGe上の低温形成ゲートスタックに関する研究を、茂藤博士が多結晶Ge TFTにおけるSn添加効果の研究を、2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021・オンライン)で発表しました。茂藤博士の研究は筑波大学の都甲准教授グループとの共同研究です。
2021/8/5
・スケジュール, 保有設備と装置, 研究成果 更新
2021/6/22
・スケジュール 更新
2021/6/1
・研究成果 更新
・山本助教が金属/Ge接合の障壁制御に関する研究を招待講演として、239th ECS meeting(オンライン)で講演しました。ECS transactions
2021/4/26
・共同研究・外部獲得資金 更新
・WebサイトのURLが変わりました
2021/4/15
・メンバー 更新
2021/4/1
・メンバー, スケジュール, 共同研究・外部獲得資金, 研究成果 更新
・M2清水君が「令和2年度量子プロセス理工学専攻賞」を受賞しました
・中島教授は3/31を以て定年退職しました。研究テーマと研究環境は、王冬准教授と山本助教が引き継ぎます
2021/3/17
・研究成果, スケジュール 更新
・中島教授がGe上ゲートスタックのBorder Trap評価に関する研究を招待講演として、第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 (オンライン)で講演しました。
2020/10/27
・リンク 更新
2020/10/9
・共同研究・外部獲得資金 更新
2020/10/5
・メンバー 更新
・中島教授がGe上ゲートスタックのBorder TrapとMOSFET移動度に関する研究を招待講演として、茂藤博士が多結晶Ge TFTにおけるSn添加効果の研究を、M2 清水君がGe-on-Insulator作製に関する研究を、国際会議PRiME2020(オンライン)で講演しました。茂藤博士の研究は筑波大学の都甲准教授グループとの共同研究です。中島ECS transactions
・M2 鹿子木君がGe上高品質ゲートスタック作製に関する研究を、2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020・オンライン)で発表しました。
2020/9/16
・スケジュール, 共同研究・外部獲得資金 更新
2020/9/10
・スケジュール 更新
2020/8/5
・九州大学工学部オンラインオープンキャンパスにて、本研究室のクリーンルームを360°動画で紹介しています。Youtube
・メンバー, スケジュール 更新
2020/7/18
・8/1-2に、九州大学工学部オンラインオープンキャンパスが行われます。
・メンバー, スケジュール 更新
2020/6/16
・D3 WenさんのGe上ゲートスタックのBorder TrapとMOSFETに関する論文が、AIP advances誌に掲載されました。LINK
・The Group IV Semiconductors Materials and Devicesにリンクを掲載しました
・研究成果, スケジュール, リンク 更新
2020/4/7
・M2岡君が「令和元年度量子プロセス理工学専攻賞」を受賞しました
・メンバー, スケジュール, 共同研究・外部獲得資金 更新
2020/3/2
・保有設備と装置 更新
・M2 岡君の3C-SiCゲートスタックに関する研究がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。総合理工学研究院の赤嶺助教、エア・ウォーター社との共同研究です。LINK
2019/12/26
・研究成果 更新
・D2 WenさんがGe上ゲートスタックのBorder TrapとMOSFETに関する研究を、仙台で行われた8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfacesで発表しました。
・筑紫キャンパスで第11回半導体材料・デバイスフォーラムが開催されました。中島教授が基調講演を、M2 岡君が一般講演を行いました。
2019/11/5
・研究成果, スケジュール 更新
・山本助教のGe-on-Insulator作製に関する研究が、ECS transactions誌に掲載されました。東京都市大の澤野教授、中国科学院上海マイクロエレクトロニクス研究所のZengfeng Di教授らとの共同研究です。LINK
・中島教授がGe上ゲートスタックのBorder Trap評価に関する研究を、アメリカ・アトランタで行われた236th ECS meetingでKeynote講演し、ECS transactions誌に掲載されました。LINK
2019/10/3
・メンバー, スケジュール 更新
2019/9/23
・研究成果, スケジュール 更新
・D2 WenさんがGe上ゲートスタックのBorder Trap評価に関する研究、M2 井芹君がGe上低温ゲート作製に関する研究、M2 岡君と山本助教が3C-SiCゲートスタックに関する研究を、北海道大学で行われた2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会で発表しました。
・M2 井芹君がGe上低温ゲート作製に関する研究、M2 岡君が3C-SiCゲートスタックの内部電荷評価に関する研究を、名古屋大学で行われた2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)で発表しました。
2019/7/19
・スケジュール, 外部獲得資金 更新
2019/6/10
・研究成果, スケジュール, リンク 更新
・山本助教がGe-on-Insulator作製に関する研究、D2 WenさんがGe上ゲートスタックのBorder Trap評価に関する研究を、アメリカ・マディソンで行われた2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conferenceで発表しました。
・ガラス基板上多結晶Ge-TFTに関する論文が、Applied Physics Letter誌に掲載されました。筑波大学の都甲准教授グループとの共同研究です。LINK
2019/5/7
・メンバー, スケジュール, 共同研究・外部獲得資金 更新
2019/3/27
・研究成果, スケジュール 更新
・M2薛君が「平成30年(2018年)度応用物理学会九州支部｣で発表奨励賞を受賞しました
・山本助教、M2仲江君らのGOI上Geトランジスタに関する論文が、Japanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。中国科学院上海マイクロエレクトロニクス研究所のZengfeng Di教授らとの共同研究です。LINK
・D3前蔵君らのGOI上Ge発光素子の論文が、Japanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。LINK
2018/12/10
・研究成果 更新
2018/11/30
・研究成果, スケジュール 更新
2018/10/19
・研究成果, スケジュール 更新
2018/9/14
・研究成果, スケジュール 更新
2018/7/4
・スケジュール 更新
2018/4/10
・メンバー, 研究成果, 共同研究・外部獲得資金, スケジュール 更新
・M2田中君が「平成29年度量子プロセス理工学専攻賞」を受賞しました
2018/2/2
・研究成果, リンク　更新
2018/2/1
・スケジュール　更新
2017/10/18
・メンバー, 研究成果, スケジュール　更新
2017/9/28
・研究成果　更新
・M2温さんが「平成29年度総合理工学府賞」を受賞しました
2017/8/16
・研究成果(2016), スケジュール　更新
2017/7/12
・D2前蔵君が「九州大学教育改革シンポジウム 学生ポスターセッション」で、銅賞を受賞しました
・研究成果, スケジュール　更新
2017/5/29
・研究成果, スケジュール　更新
2017/4/10
・メンバー, 共同研究・外部獲得資金, 研究成果 更新
2017/3/30
・メンバー, 研究成果, 保有設備と装置, 受験案内, スケジュール　更新
・M2岡本君が「平成28年度総合理工学府賞」を、M2織田君が「平成28年度量子プロセス理工学専攻賞」を受賞しました
2017/2/20
・研究成果　更新
2017/1/25
・研究成果, スケジュール　更新
・M2本山君が「第20回(2016年)応用物理学会九州支部｣で発表奨励賞を受賞しました
2016/12/6
・研究成果　更新
2016/11/18
・D3永冨君、M2岡本君が「第77回応用物理学会秋季学術講演会（朱鷺メッセ）」で講演奨励賞をダブル受賞しました！！
2016/11/17
・10月1日に、産学連携センターはグローバルイノベーションセンターに生まれ変わりました。中島研究室は「アドバンストプロジェクト部門・機能デバイス領域」に組織変更されました
・M2岡本君が、｢第8回半導体材料・デバイスフォーラム｣で口頭発表最優秀賞を受賞しました
・11月1日より山本助教の所属が変わりました。
・研究概要, 研究成果, メンバー, スケジュール, 共同研究・外部獲得資金　更新
2016/9/23
・研究成果　更新
2016/7/26
・研究成果　更新
2016/6/14
・研究成果　更新
2016/5/2
・研究成果　更新
2016/4/19
・スケジュール　更新
2016/4/14
・メンバー　更新
2016/4/5
・スケジュール, 共同研究・外部獲得資金,　更新
2016/3/29
・保有設備と装置　更新>
2016/3/28
・王准教授の異動に伴い、研究室名が変更になりました
・M2前蔵君が、総合理工学府賞を受賞しました
・研究成果　更新
2016/3/18
・研究成果　更新
2016/3/3
・メンバー　更新
2016/2/2
・スケジュール　更新
2016/1/19
・研究成果　更新
2015/12/24
・スケジュール　更新
2015/11/25
・M1建山君が、｢第7回半導体材料・デバイスフォーラム｣でポスター発表最優秀奨励賞を
受賞しました
2015/11/18
・研究成果　更新
2015/11/5
・研究成果, スケジュール　更新
2015/10/8
・研究成果, メンバー　更新
2015/9/17
・研究成果, スケジュール　更新
2015/8/4
・外部獲得資金　更新
2015/6/22
・研究成果　更新
2015/6/18
・研究成果　更新
2015/5/26
・研究成果　更新
2015/4/13
・研究概要, メンバー, 研究成果, 共同研究・外部獲得資金, スケジュール, リンク　更新
・M2長岡君(3月修了)が、量子プロセス理工学専攻 専攻賞を受賞しました
2015/3/18
・研究成果　更新
2015/3/10
・スケジュール　更新
2015/3/5
・研究成果　更新
2015/3/3
・研究成果, 保有設備と装置　更新
2015/1/9
・D1永冨君が、｢第6回半導体材料・デバイスフォーラム｣でポスター発表奨励賞を
受賞しました
・M1田中君が、｢第18回(2014年)応用物理学会九州支部｣で発表奨励賞を
受賞しました
2014/12/10
・研究成果　更新
2014/11/20
・研究成果　更新
2014/10/20
・研究成果　更新
2014/9/29
・研究成果　更新
2014/7/8
・スケジュール　更新
2014/6/20
・研究成果　更新
2014/6/9
・研究成果　更新
2014/4/17
・スケジュール　更新
2014/4/9
・メンバー　更新
2014/4/4
・研究成果・外部獲得資金　更新
2014/3/28
・研究成果・メンバー　更新
2014/2/27
・スケジュール　更新
2014/2/10
・研究成果　更新
2013/11/27
・M1長岡君が、｢第5回半導体材料・デバイスフォーラム｣でポスター発表奨励賞を
受賞しました
・メッセージ・研究成果・スケジュール　更新
2013/11/15
ホームページリニューアル
Flag Counter

LANGUAGE

LINK