受験生のみなさんへ
2024年度入学の大学院生の募集に関して
現在、当研究室は、総合理工学府 I類 材料理工学メジャー
に所属しています(教育分野:先進ナノマテリアル科学)。
私達の当研究室では、大学と専門を問わず、積極的でやる気に満ちた、情熱をもった大学院生(修士課程、博士課程)を募集しています。他大学・高専専攻科からの大学院生(修士、および博士課程)も、出身学科に関係なく、意欲のある学生さんを積極的に受け入れています。なお、研究室に入ってくる学生さんは、グラフェンなどを扱った経験がない方がほとんどですが、問題なく研究活動を進められるように、最初の実験指導から研究フォローまでバックアップしています。
現在、研究室に所属している日本人大学院生は全て他大学の出身です。その他に、海外からのメンバーも2名在籍しており(スペイン、台湾)、日常的に英語を話す機会にも恵まれています。現在、新型コロナのため入国が遅れていますが、2022年10月までにシンガポール、韓国、中国から博士課程の留学生が入ってくることになっています。博士課程に進学の際には、研究費から給与としてサポートします(具体的な金額については個別にお尋ねください)。
さらに、当研究室では、物質・生命系、機械系、材料系、電気系など様々なバックグランドをもった学生さんを受け入れてきていますので、異分野からの入学・研究にも問題ない体制ができています。
また、2021年9月からは学術変革領域研究(A)「2.5次元物質科学」 が始まったことから、国内外の共同研究室に訪問・滞在する旅費の支援も受けることができますし、領域内の色々なイベントや勉強会にも参加できます。
最先端の研究分野で、自分の能力を高めたい、あるいは世界に挑戦したいという学生さんの受験をお待ちしています。見学はいつでも対応しますので、研究内容に興味のある方は、気軽にご連絡ください。
【研究室見学の方法】
1. 吾郷までメールをください(メール:h-agoあっとgic.kyushu-u.ac.jp)
2. 訪問日を決めます(できるだけフレキシブルに対応します)
3. 実際に研究室に来て、研究内容の説明と実験室の見学をしてもらいます
4. (希望に応じて)研究室に在籍している学生さんに話を聞くことも可能です
【大学院入試】
大学院入試*に関する詳細はこちらをご覧ください。なお、入試にはTOEIC等のスコアが必要です。社会人博士も広く受け付けています。
*現在、2024年4月入学のための見学を受け付けています(2023/4/15)。
【博士課程への進学・入学に関して】
吾郷の思うところをこちらにまとめました。大学院への受験を検討されている方は参考にしてください(2020/11/5)。
これまで在籍した学生メンバーの出身大学
九州大学工学部エネルギー科学科, 北九州市立大学国際環境工学部エネルギー循環化学科, 佐賀大学理工学部, 徳島大学理工学部機械科学コース, 熊本大学理学部, 熊本大学工学部マテリアル工学科, 島根大学総合理工学部物質科学科, 久留米工業高等専門学校, 北九州工業高等専門学校, 宇部工業高等専門学校, 高知工業高等専門学校, 福岡大学工学部化学システム工学科, 北里大学理学部, 山口大学工学部, 山口大学理学部, 和歌山大学, 九州大学理学部物理学科, 八戸工業高等専門学校 等
修了生の就職先
2023年3月修了(修士課程:19期生) | 日本ガイシ、日本NCR、安川電機 |
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2022年3月修了(修士課程:18期生) | 日本ガイシ、日鉄ケミカル&マテリアル |
2021年3月修了(修士課程:17期生) | DOWAホールティングス、京セラ |
2020年9月修了(博士課程) | スイス連邦工科大, (国費留学生)NTT基礎研 |
2020年3月修了(修士課程:16期生) | 富士電機、リンクアンドモチベーション、京セラ → 京大博士課程 |
2019年9月修了(修士課程:15期生) | (国費留学生)住友大阪セメント |
2019年3月修了(博士課程) | デンソー |
2019年3月修了(修士課程:15期生) | 東芝テック、佐賀県窯業技術センター、東芝メモリ → 古河電工 |
2018年3月修了(博士課程) | (国費留学生)CREST研究員(名古屋大学) |
2018年3月修了(修士課程:14期生) | スズキ、古河電工、LIXIL、デンカ、福岡県立小学校教諭 |
2017年9月修了(博士課程) | (国費留学生)古河電池 → 日産自動車 |
2017年3月修了(修士課程:13期生) | リンテック、三菱自動車 |
2016年3月修了(修士課程:12期生) | 博士課程進学、JX日鉱日石金属、デンソー |
2015年9月修了(博士課程) | (国費留学生)マレーシア国立大学講師 |
2015年3月修了(修士課程:11期生) | 武蔵エンジニアリング、デンソー、JAXA |
2014年3月修了(博士課程) | JSPS博士特別研究員(コーネル大)→ NTT基礎研 |
2014年3月修了(修士課程:10期生) | 出光興産 |
2013年3月修了(修士課程:9期生) | 旭化成、三菱電機 |
2012年3月修了(修士課程:8期生) | 旭化成、トーカロ |
2011年9月修了(博士課程) | NTT基礎研 → シンガポール国立大 → Micron Technology (USA) |
2011年3月修了(修士課程:7期生) | 博士課程進学、ディスコ、大日本印刷 |
2010年3月修了(修士課程:6期生) | 出光興産 |
2009年3月修了(博士課程) | 旭化成、三井化学 → 福岡大学助教 |
2008年3月修了(修士課程:4期生) | 三菱化学、豊田自動織機 |
2007年3月修了(修士課程:3期生) | 日立製作所、丸紅 |
2006年3月修了(修士課程:2期生) | 博士課程進学 → 旭化成、ニコン |
2005年3月修了(修士課程:1期生) | サンリッツ、TDK |
これまでの学位論文・修士論文・卒業論文のリスト
博士学位論文
2020年9月取得 | Synthesis, Optical Properties and Applications of Two-Dimensional Perovskites and Their Heterostructures (二次元ペロブスカイトとそのヘテロ構造の合成、光学物性、ならびに応用に関する研究) |
Ufuk Erkılıç |
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2020年9月取得 | Epitaxial Growth, Chemical Doping and Electronic Applications of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides (二次元遷移金属ダイカルコゲナイドのエピタキシャル成長、化学ドーピング、及びデバイス応用) |
Hyungoo Ji |
2019年3月取得 | Synthesis and Growth Mechanism of Two-Dimensional Atomic Sheets of Hexagonal Boron Nitride (六方晶窒化ホウ素の二次元原子膜の合成と成長メカニズム) |
内田 勇気 |
2018年3月取得 | Synthesis and Applications of Heterostructures of Two-Dimensional Materials (二次元材料からなるヘテロ構造の合成と応用) |
Adha Sukma Aji |
2017年9月取得 | Studies on CVD Growth of Single-Crystal Graphene on Cu Foil (銅箔上における単結晶グラフェンのCVD成長に関する研究) |
Ding Dong |
2016年2月取得 | Synthesis and Characterization of Graphene Nanoribbons and Their Heterostructures with MoS2 (グラフェンナノリボンおよびMoS2とのヘテロ構造体の合成とキャラクタリゼーション) |
Rozan Binti Mohamad Yunus |
2014年3月修了 | CVD-Grown Graphene: Domain Structure Control and Characterizations (CVD成長したグラフェンのドメイン構造制御と評価) |
小川 友以 |
2011年9月修了 | Synthesis and control of single-walled carbon nanotubes and graphene for field-effect transistor (電界効果トランジスタのための単層カーボンナノチューブとグラフェンの合成と制御) |
Carlo M. Orofeo |
2009年3月修了 | Syntheses, Characterizations, and Applications of Aligned Carbon Nanotubes (配向カーボンナノチューブの合成,キャラクタリゼーション, および応用) |
石神 直樹 |
カーボンナノチューブの成長メカニズムと成長制御に関する研究 |
吉原 直記 |
修士論文題目
2023年3月修了 | 二層グラフェンへのCaインターカレーションと電気物性 | 大津 柚紀子 |
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CVD成長した六方晶窒化ホウ素の磁気トンネル接合素子への応用 | 楠瀬 宏規 | |
二次元材料へのhigh-k絶縁膜堆積と電子デバイス応用に関する研究 Integration of high-k dielectric films with two-dimensional materials for high-performance electronic devices* *キャンパスアジアプログラムによる釜山大学とのダブルディグリー |
中山 友紀子 | |
2022年3月修了 | ツイスト角度に依存した二層グラフェンへのインターカレーション | 荒木 勇治 |
固体原料の併用による厚い多層h-BNの成長とMoS2ヘテロ構造への応用 | 大竹 徹 | |
2021年3月修了 | Cu(111)上に成長した単層グラフェンにおける結晶粒界の評価 | 栗谷本 昴希 |
多層h-BNを用いた二次元ペロブスカイトの合成 | 渡邉 翔太 | 2020年3月修了 | CVD成長した多層h-BNの二次元積層系への展開 | 本田 大樹 |
大面積二層グラフェンへの二成分の金属塩化物のインターカレーション | 本山 周 | |
金属箔を用いた多層h-BNの作製と絶縁基板への応用 Synthesis and Growth Mechanism of High Quality Multilayer Hexagonal Boron Nitride Film on Metal Foil* *キャンパスアジアプログラムによる釜山大学とのダブルディグリー |
村瀬 大騎 | |
2019年9月修了 | Synthesis of Large Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Grains on Epitaxial Metal Films | Alexandre Budiman Taslim |
2019年3月修了 | Fe/サファイア基板を用いた多層h-BNのCVD成長と積層ヘテロ構造の創製 | 秋山 将人 |
機能性剥離テープ用いたCVDグラフェンのドライ転写法の開発 | 小山 諄 | |
合金箔を用いた多層h-BNのCVD成長と二次元積層系への展開 | 田中 大地 | |
2018年3月修了 | 遷移金属ダイカルコゲナイドの合成技術の開発と光・電子デバイス応用 | 椎葉 俊明 |
2段階CVD法によるファンデルワールスp-nヘテロ構造体の創製と輸送特性 | 泉本 征憲 | |
遷移金属ダイカルコゲナイドのCVD成長とカーボンナノチューブとのp-n接合 | 小柳 知穂 | |
MoS2原子膜の成長制御と面内ヘテロ構造体への展開 | 末永 健志朗 | |
大面積かつ均一な多層h-BNのCVD成長と 二次元積層系への展開 | 寺尾 友里 | |
2017年9月修了 | Hydrogen-Induced Epitaxial Growth of Monolayer WS2 and Orientation-Dependent Grain Structures | Hyungoo Ji |
2017年3月修了 | CVD成長した二層グラフェンへのインターカレーションと 透明導電膜への応用 | 木下 浩樹 |
大面積かつ均一な多層h-BNのCVD成長と 二次元積層系への展開 | 仲村渠 翔 | |
2016年3月修了 | 窒化ホウ素原子膜のエピタキシャルCVD成長と ヘテロ積層デバイスへの展開 | 内田 勇気 |
グラフェン-MoS2の面内ヘテロ構造原子膜の創製 | 白土 喜博 | |
TiO2担持Ag@Pdコアシェルナノ微粒子からの高効率ギ酸分解による水素生成 | 嶋本 大佑 | |
2015年3月修了 | 単層h-BN膜のCVD成長とMoS2とのヘテロ積層膜の創製 | 祝迫 祐 |
銅表面における単層グラフェンの成長ダイナミクス | 太田 勇二郎 | |
Cu-Ni薄膜触媒を用いたグラフェンの層数制御 | 竹崎 悠一郎 | |
2014年3月修了 | 二層グラフェンの成長と構造解析に関する研究 | 田上 翔太 |
2013年3月修了 | 単結晶基板の異方性を活かしたナノカーボンの創製と加工 | 嘉陽 安理 |
CVD法を用いたグラフェンナノリボンの直接成長 | 宮下 雅大 | |
2012年3月修了 | エピタキシャル触媒を用いたグラフェンの成長と構造制御に関する研究 | 伊藤 由人 |
グラフェンナノリボンを目指したグラフェンの異方性エッチングに関する研究 | 吉田 和真 | |
2011年3月修了 | デバイス応用を目指した水平配向単層カーボンナノチューブの直径制御に関する研究 | 綾垣 喬史 |
金属触媒膜を利用したグラフェン成長 | 鈴木 純矢 | |
水平配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御に向けた研究 | 小川 友以 | |
2010年3月修了 | サファイア表面における単層カーボンナノチューブの成長方向制御 | 西 徹志 |
2008年3月修了 | 表面構造を制御したサファイア上での単層カーボンナノチューブの成長方向の制御 | 今本 健太 |
鉄を主成分とした二元系触媒による高密度配向ナノチューブの成長 | 白石 祐介 | |
2007年3月修了 | 単層カーボンナノチューブの位置と方向の同時制御に関する研究 | 大堂 良太 |
マイクロ流体デバイス中での単層カーボンナノチューブの金属-半導体分離 | 品川 直嗣 | |
2006年3月修了 | 垂直配向カーボンナノチューブを組み込んだマイクロリアクター | 石神 直樹 |
単層カーボンナノチューブの高収率合成と水平配向成長 | 上原 直保 | |
2005年3月修了 | Fe/MgO担持触媒による単層カーボンナノチューブの成長と直径制御 | 今村 真悟 |
粒径制御した鉄ナノ粒子からの単層カーボンナノチューブの成長とその基板依存性 | 中村 和浩 |
卒業論文題目
2013年3月卒業 | 二成分金属触媒を用いたグラフェンの層数制御 | 竹崎 悠一郎 |
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2012年3月卒業 | 二層グラフェンの合成と成長メカニズムに関する研究 | 田上 翔太 |
2010年3月卒業 | グラフェンの成長とキャラクタリゼーション | 伊藤 由人 |
2009年3月卒業 | 水平配向カーボンナノチューブの直径制御に関する研究 | 綾垣 喬史 |
2008年3月卒業 | コンビナトリアルケミストリーによる高密度SWNTの創製 | 西 徹志 |
2007年3月卒業 | 単層カーボンナノチューブの水平配向成長とトランジスタ特性の評価 | 鈴木 朋子 |
2005年3月卒業 | マイクロチップを用いた単層カーボンナノチューブの分離 | 品川 直嗣 |