研究成果

平成29(2017)年

受賞

平成29年度 総合理工学府 学府賞(秋季) 温 偉辰

九州大学教育改革シンポジウム2017 学生ポスターセッション 銅賞 前蔵 貴行

平成28年度 総合理工学府 学府賞 岡本 隼人 PHOTO

平成28年度 総合理工学府量子プロセス理工学専攻 専攻賞 織田 知輝 PHOTO

第77回 応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞 永冨 雄太, 岡本 隼人 PHOTO

論文・国際学会proceedings

218. Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer
ECS transactions, Vol. 80, No. 4, pp. 97-106(2017)
H. Nakashima, H. Okamoto, K. Yamamoto, and D. Wang

217. Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs
Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), pp. 529-530(2017)
T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima

216. Characterization of near-interface border-traps in GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation using deep-level transient spectroscopy
Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), pp. 505-506(2017)
W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima

215. Effect of n-type doping level on direct band gap electroluminescence intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes
Semiconductor Science and Technology, Vol. 32, pp. 104001 (2017)
T. Maekura, K. Tanaka, C. Motoyama, R. Yoneda, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang LINK

学会発表

H. Nakashima(Invited), H. Okamoto, K. Yamamoto, and D. Wang
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/n+-Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer
232nd ECS meeting, 2017.10.2

T. Sakaguchi, K. Akiyama, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs
2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017), 2017.9.21

W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Dependence of Channel Mobility on Substrate Impurity Concentration for Metal Source/Drain Ge MOSFETs
2017 International Conference on Solid State Devices and Materiaals (SSDM2017), 2017.9.20

板屋 航、仲江 航平、山本 圭介、王 冬、中島 寛
非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調(U)
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.9.8

坂口 大成、秋山 健太郎、山本 圭介、王 冬、中島 寛
メタルS/D型 Ge n-MOSFET のチャネル移動度の基板濃度依存性
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.9.8

泉本 征憲、Adha Sukuma Aji、河原 憲治、山本 圭介、中島 寛、吾郷 浩樹
トンネルFET応用に向けた二次元半導体によるヘテロ構造体の合成
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.9.5

W. -C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017.9.5

W.-C. Wen, T. Sakaguchi, K. Yamamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Near-interface border-traps characterization by deep-level transient spectroscopy for GeO2/Ge gate stacks
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, 2017.5.18

K. Kudo, H. Higashi, M. Nakano, S. Yamada, K. Yamamoto, T. Kanashima, I. Tsunoda, H. Nakashima, and K. Hamaya
Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown on SiNx/SiO2
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, 2017.5.18

T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes
The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, 2017.5.15

[講演奨励賞受賞記念講演]岡本 隼人、山本 圭介、王 冬、中島 寛
非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.3.17

銭高 真人、古荘 仁久、山本 圭介、中島 寛、浜屋 宏平、金島 岳
La2O3/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La2O3 キャップ層の効果
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.3.16

[講演奨励賞受賞記念講演]永冨 雄太、織田 知輝、坂口 大成、山本 圭介、王 冬、中島 寛
ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.3.16

前蔵 貴行、本山 千里、田中 健太郎、山本 圭介、中島 寛、王 冬
Sbドーピング基板を用いた非対称-金属/Ge/金属構造光素子の作製・特性評価
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017.3.16

K. Yamamoto(Invited), H. Okamoto, D. Wang, and H. Nakashima
Achievement of Ultralow Contact Resistivity of Metal/Ge Contacts with Zr-N-Ge Amorphous Interlayer
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2017.2.13

T. Maekura, C. Motoyama, K. Tanaka, K. Yamamoto, H. Nakashima, and D. Wang
Effect of n-type doping level on direct band gap light emission intensity for asymmetric metal/Ge/metal diodes
10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar, 2017.2.13

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