旧スタッフ
教員 | |
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中島 寛 名誉教授(グローバルイノベーションセンター) 令和3年3月定年退職 |
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博士研究者(PD) | |
温 偉辰 博士(総合理工学研究院) 受け入れ期間:令和2年10月~令和3年3月 |
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山本 圭介 博士(産学連携センター) 研究テーマ:高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発 受け入れ期間:平成24年4月~平成25年1月 |
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Yang Haigui 博士(産学連携センター) 研究テーマ:局所酸化濃縮による歪みGe-On-Insulator基板の開発 受け入れ期間:平成19年9月~平成23年9月 |
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井 誠一郎 博士(産学連携センター) 研究テーマ:歪Si-SGOIウェーハの電子顕微鏡観察に関する研究 受け入れ期間:平成16年4月~平成18年3月 |
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Wang Dong 博士(産学連携センター) 研究テーマ:次世代LSI用高機能Siウェーハの開発, 電気的欠陥の高感度評価とマッピング (文部科学省・科学技術振興調整費, 産学官共同研究の効果的な推進) 受け入れ期間:平成16年4月~平成18年3月 |
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Zhao Liwei 博士(産学連携センター) 研究テーマ:高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究 受け入れ期間:平成14年4月~平成16年3月 |
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Wang Dong 博士(産学連携センター) 研究テーマ:高速LSI用歪SOIウェーハの研究開発 (文部科学省・科学技術振興調整費 先導的研究等の推進) 受け入れ期間:平成13年12月~平成16年3月 |
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Wang Junli 博士(ベンチャービジネスラボラトリー) 研究テーマ:高誘電率絶縁膜の低温形成に関する研究, 高品質多結晶シリコンの低温形成に関する研究 受け入れ期間:平成13年10月~平成15年3月 |
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Gao Dawei 博士(先端科学技術共同研究センター) 研究テーマ:新有機エレクトロルミネッセンス デバイスの創成技術に関する研究開発 -高信頼性保護膜の開発と評価- (通商産業省「地域コンソーシアム研究開発事業」) 受け入れ期間:平成10年4月~平成11年12月 |
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Gao Junsi 博士(総合理工学研究科) 研究テーマ:ECRプラズマスパッタリングによるSiエピタキシャル成長に関する研究 受け入れ期間:平成10年4月~平成11年3月 |
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Gao Junsi 博士(総合理工学研究科) 研究テーマ:ECRプラズマスパッタリングによるSiエピタキシャル成長に関する研究 受け入れ期間:平成9年10月~平成10年3月 |
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Liu Tichun 博士(総合理工学研究科) 研究テーマ:プラズマスパッタリングによる薄膜堆積に関する研究 受け入れ期間:平成 8年5月~平成 9年8月 |
秘書 | |
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三好 泉 平成28年8月~令和2年3月 |
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後藤 美智子 平成23年8月~平成28年7月 |
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西 友季子 平成18年8月~平成23年7月 |
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宮西 まゆみ 平成17年4月~平成18年7月 |
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渡辺 朗子 平成16年4月~平成17年3月 |
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村田 奈々 平成14年9月~平成16年3月 |
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明田 由香 平成13年4月~平成14年8月 |
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東城 恵里子 平成11年10月~平成13年3月 |
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